ISSN 0236-235X (P)
ISSN 2311-2735 (E)

Публикационная активность

(сведения по итогам 2017 г.)
2-летний импакт-фактор РИНЦ: 0,500
2-летний импакт-фактор РИНЦ без самоцитирования: 0,405
Двухлетний импакт-фактор РИНЦ с учетом цитирования из всех
источников: 0,817
5-летний импакт-фактор РИНЦ: 0,319
5-летний импакт-фактор РИНЦ без самоцитирования: 0,264
Суммарное число цитирований журнала в РИНЦ: 6012
Пятилетний индекс Херфиндаля по цитирующим журналам: 404
Индекс Херфиндаля по организациям авторов: 338
Десятилетний индекс Хирша: 17
Место в общем рейтинге SCIENCE INDEX за 2017 год: 527
Место в рейтинге SCIENCE INDEX за 2017 год по тематике "Автоматика. Вычислительная техника": 16

Больше данных по публикационной активности нашего журнале за 2008-2017 гг. на сайте РИНЦ

Добавить в закладки

Следующий номер на сайте

2
Ожидается:
16 Июня 2019

В МГТУ им. Н.Э. Баумана реализована программа трансформации топологии субмикронных сверхбольших интегральных схем TPLConverter

06.04.2011

Тенденции к миниатюризации изделий электронной техники обусловили необходимость поиска новых подходов к технологии производства интегральных схем. Однако с переходом к проектным нормам глубокого субмикрона (130 нм и менее) в конструировании интегральных схем возникли принципиально новые проблемы. Чем меньше критические размеры их элементов, тем ближе область, в которой начинают сказываться фундаментальные физические ограничения КМОП-технологии.

Известно, что при проектировании и производстве интегральных схем основную роль играют процессы литографии. При достижении физических пределов процесса фотолитографии, связанных с негативным влиянием эффекта взаимной дифракции, затраты на совершенствование производства интегральных схем экспоненциально возрастают. Поэтому их производители всеми способами пытаются расширить физические пределы разрешающей способности проекционной оптической литографии с помощью таких инноваций, как, например, фазосдвигающие фотошаблоны и внеосевое освещение. Среди множества различных подходов в документах ITRS выделяются два основных направления дальнейшего развития литографии: литография жестким ультрафиолетом (EUV) и методики двойного экспонирования (double exposure), к которым и относится экспонирование с двойным фотошаблоном.

Технология двойного фотошаблона является одним из возможных вариантов развития электроники по пути дальнейшей миниатюризации. Основная идея этого подхода заключается в последовательном применении двух шаблонов во время прожига фоторезиста для получения рисунка с размерами элементов, которых невозможно достичь с помощью обычных методов оптической литографии. Однако процедура декомпозиции топологии сверхбольших интегральных схем (СБИС) на две подчасти не является тривиальной и требует оценки всех возможных альтернативных решений с учетом технологических ограничений. Выполнить это вручную весьма сложно, поэтому переход к проектированию по технологии двойного фотошаблона требует широкого использования САПР. На рынке программных продуктов только начинает появляться ПО для решения задачи автоматизации проектирования по технологии двойного фотошаблона.

Подробное описание дается в статье «Программа трансформации топологии субмикронных сверхбольших интегральных схем для технологии двойного фотошаблона», авторы: Зинченко Л.А., Аверьянихин А.Е (МГТУ им. Н.Э. Баумана, г. Москва).