Авторитетность издания
Добавить в закладки
Следующий номер на сайте
В Таганрогском технологическом институте Южного федерального университета исследовалась проблема решения задачи планирования сверхбольших интегральных схем трехмерной интеграции по технологии сквозных кремниевых межсоединений с учетом оптимального теплового распределения элементов.
01.07.2014С развитием современных субмикронных технологических процессов изготовления сверхбольших интегральных схем (СБИС) перед проектировщиками встали новые проблемы, такие как увеличение задержек в соединениях, увеличение энергопотребления и температуры. Они в свою очередь отрицательно влияют на надежность и работоспособность электронных устройств.
Схемы трехмерной интеграции – это попытка преодолеть ограничения плоских СБИС главным образом интеграцией нескольких слоев кристалла в монолитную структуру. Выгода такого вертикального расширения СБИС включает лучшее использование площади чипа, уменьшение длины проводников и увеличение количества транзисторов на единицу площади, что приводит к росту быстродействия и энергоэффективности. Несмотря на эти преимущества, существует критическое ограничение: в трехмерной СБИС присутствует высокое влияние тепловых эффектов из-за более высокой удельной мощности и большего теплового сопротивления вдоль путей теплоотдачи (http://www.itrs.net/Links/2012ITRS/2012Chapters/2012Overview.pdf). Высокая рассеиваемая мощность на единицу площади кристалла СБИС непосредственно влияет на его рабочую температуру, а следовательно, негативно сказывается на надежности КМОП-схем.
Подробное описание дается в статье «Подсистема планирования сверхбольших интегральных схем трехмерной интеграции с учетом взаимного теплового влияния элементов», авторы: Кулаков А.А., Курейчик В.М. (Таганрогский технологический институт Южного федерального университета, Таганрог).
