Авторитетность издания
ВАК - К1
RSCI, ядро РИНЦ
Добавить в закладки
Следующий номер на сайте
№4
Ожидается:
09 Декабря 2024
Масальский Н.В.
кандидат физико-математических наук (volkov@niisi.ras.ru)
зав. сектором
НИИСИ РАН
Автор статей:
- Проблемы схемотехнического моделирования нанотранзисторов со структурой «кремний на изоляторе»
- Моделирование распределения потенциала в рабочей области полевого транзистора со структурой «германий на изоляторе»: аналитическая модель и ее приложения
- Моделирование распределения потенциала в двухзатворном полевом нанотранзисторе со структурой кремний на изоляторе с асимметричным затвором
- Температурная модель распределения потенциала в неравномерно легированных нанотранзисторах со структурой кремний на изоляторе
