ISSN 0236-235X (P)
ISSN 2311-2735 (E)

Публикационная активность

(сведения по итогам 2017 г.)
2-летний импакт-фактор РИНЦ: 0,500
2-летний импакт-фактор РИНЦ без самоцитирования: 0,405
Двухлетний импакт-фактор РИНЦ с учетом цитирования из всех
источников: 0,817
5-летний импакт-фактор РИНЦ: 0,319
5-летний импакт-фактор РИНЦ без самоцитирования: 0,264
Суммарное число цитирований журнала в РИНЦ: 6012
Пятилетний индекс Херфиндаля по цитирующим журналам: 404
Индекс Херфиндаля по организациям авторов: 338
Десятилетний индекс Хирша: 17
Место в общем рейтинге SCIENCE INDEX за 2017 год: 527
Место в рейтинге SCIENCE INDEX за 2017 год по тематике "Автоматика. Вычислительная техника": 16

Больше данных по публикационной активности нашего журнале за 2008-2017 гг. на сайте РИНЦ

Добавить в закладки

Следующий номер на сайте

2
Ожидается:
16 Июня 2019

В НИИСИ РАН обсуждались вопросы моделирования характеристик транзисторных структур, выполненных по технологии нового поколения – «германий на изоляторе».

11.03.2015

На современном этапе развития микроэлектроники формируется новое направление – создание на структурах «германий на изоляторе» высокоэффективных микросхем для сверхвысокопроизводительных вычислительных систем. Во всех ведущих мировых исследовательских центрах ведутся поисковые исследования теоретических принципов моделирования, включая такой важный этап, как разработка аналитических моделей, применимых для схемотехнического моделирования и проектирования сверхбольших интегральных схем (СБИС) на структурах «германий на изоляторе», а также разработка требований к технологии их изготовления.

Двухзатворные полевые транзисторы – одна из самых многообещающих архитектур для реализации рубежей, заявленных в новом направлении. Двухзатворная архитектура обладает уникальными возможностями для масштабирования микросхем в наноразмерной области. Она более гибкая, потому что по сравнению с традиционными планарными полевыми транзисторами больше параметров, таких как толщина рабочей области, толщина окиси фронтального и обратного затвора, легирование подложки, девиация затворных напряжений, могут быть использованы для оптимизации их физических характеристик. Она позволяет существенно уменьшить проявление таких короткоканальных эффектов (ККЭ), как roll-off порогового напряжения, DIBL-эффект и рост крутизны подпороговой характеристики. При этом следует учесть, что ККЭ эффективно подавляются в тонких пленках, формирующих транзисторную структуру.

Концепция транзистора «без перекрытия» затвора и стока/истока, которые сформированы в виде вытянутых областей, является одной из практически значимых из обширного семейства двухзатворных транзисторных архитектур. Кроме существущих преимуществ она имеет еще дополнительные степени свободы для оптимизации подавления ККЭ и представляет прак- тический интерес с позиции создания низко- вольтных нанотранзисторных СБИС с малой потребляемой мощностью.

Подробное описание дается в статье «Моделирование распределения потенциала в рабочей области полевого транзистора со структурой «германий на изоляторе»: аналитическая модель и ее приложения», автор Масальский Н.В. (НИИСИ РАН, г. Москва).